TSM052N06PQ56 RLG
Número de Producto del Fabricante:

TSM052N06PQ56 RLG

Product Overview

Fabricante:

Taiwan Semiconductor Corporation

Número de pieza:

TSM052N06PQ56 RLG-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 60V 100A 8PDFN
Descripción Detallada:
N-Channel 60 V 100A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount 8-PDFN (5x6)

Inventario:

12898700
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ENVIAR

TSM052N06PQ56 RLG Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Taiwan Semiconductor
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
100A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
5.2mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
50 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3686 pF @ 30 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
83W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-PDFN (5x6)
Paquete / Caja
8-PowerTDFN

Información Adicional

Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
TSM052N06PQ56 RLGCT-DG
TSM052N06PQ56 RLGDKR
TSM052N06PQ56 RLGDKR-DG
TSM052N06PQ56RLGDKR
TSM052N06PQ56RLGCT
TSM052N06PQ56 RLGTR
TSM052N06PQ56 RLGTR-DG
TSM052N06PQ56RLGTR
TSM052N06PQ56 RLGCT

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
3 (168 Hours)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modelos Alternativos

NÚMERO DE PARTE
BSC031N06NS3GATMA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
6397
NÚMERO DE PIEZA
BSC031N06NS3GATMA1-DG
PRECIO UNITARIO
0.92
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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NÚMERO DE PARTE
TSM045NB06CR RLG
FABRICANTE
Taiwan Semiconductor Corporation
CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
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PRECIO UNITARIO
0.64
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